Permet de réaliser un amincissement performant sur InP, GaP, GaAs. L’épaisseur minimale est de 80 µm, la taille maximale des wafers vaut 2″.
Permet de réaliser un amincissement performant sur InP, GaP, GaAs. L’épaisseur minimale est de 80 µm, la taille maximale des wafers vaut 2″.