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►Savoir faire

La plateforme Nano-Rennes est dotée d’un ensemble d’aligneurs de lithographie, lui permettant d’assurer en standard des motifs de résine de dimension micronique (1 µm), sub-micronique (0.7 µm), voire nanométrique (50 nm) sur des procédés de lithographie émergents. A ces aligneurs s’ajoutent plusieurs postes d’enduction de résine et de traitement thermique. L’ensemble de ces postes de travail est situé dans des ambiances de classe 100.
Trois types d’aligneurs équipent la plateforme :

  • Photolithographie UV (UV4 365-435 nm)  : dimension minnimale 1 µm
  • Photolithographie deep-UV (UV3 248 nm) : dimension minnimale 0.7 µm
  • Lithographie par nano-impression : dimension minimale 50 nm

 

►Description des équipements de lithographie

Aligneurs UV

Aligneur Suss Microtec  MA6 (UV3 248nm) (IETR-GM)

  • Echantillon 1/4 de 2″ jusqu’à 3″
  • Support pour masque 4″ 
  • Yrois modes de lithographie (proximité, contact, chambre à vide)
  • Résolution alignement ± 1 µm
  • Résolution max ± 0.5 µm

 

 

Aligneur Suss Microtec  MJB4 (UV4) et nano-imprint (FOTON-INSA)

  • Échantillon 1/4 de 2″ jusqu’à 4″
  • Support pour masque 3″ et 4″
  • Trois modes de lithographie (proximité, contact, chambre à vide)
  • Résolution alignement ± 1 µm
  • Résolution max ± 0.7 µm

Spécificité : un module de nano-impression, pour des surfaces limitées au cm², résolution max de 50 nm.

 

 

Aligneur Suss Microtec  MJB4 (UV4) et nano-imprint (FOTON-INSA)

  • Echantillon 1/4 de 2″ jusqu’à 4″
  • Support pour masque 3″ et 4″
  • Trois modes de lithographie (proximité, contact, chambre à vide)
  • Résolution alignement ± 1 µm
  • Résolution max ± 0.7 µm

Spécificité : un module de nano-impression, pour des surfaces limitées au cm², résolution max de 50 nm.

 

 

2 Aligneurs Suss Microtec  MJB3 (UV4) (FOTON-INSA et IETR-GM)

  • Echantillon 1/4 de 2″ jusqu’à 2″
  • Support pour masque 3″ et 4″
  • Deux modes de lithographie (proximité, contact)
  • Résolution alignement ± 2 µm
  • Résolution max ± 1 µm

Spécificité : un aligneur réservé exclusivement aux formations.

Lithographie électronique

Système de lithographie électronique JEOL (IETR-GM)

  • Echantillon 
  • Résolution 10 nm

Divers

Hotte
Spinner Suss
Gyrset

 

 

4 résineurs Suss Microtec type RC8 (FOTON-INSA et IETR-GM)

  • Echantillon 1/4 de 2″ jusqu’à 2″
  • 1 résineur à capot Gyrset
  • Plusieurs résines (de 200 nm à 4-5 µm d’épaisseur, BCB, PMMA, ..)

 

 

4 microscopes optiques (FOTON-INSA et IETR-GM)

  • Grossissement de ×50 à ×200
  • Filtre UV, caméra

 

 

Design de masques (IETR-GM et FOTON-INSA)

  • Cadence
  • CleWin

►Exemples de réalisations

Motif positif
Motif positif
Motif positif
Motif positif
Motif lift off
Motif lift off
Lithographie électronique
Lithographie électronique (lift off)
Lithographie électronique (lift off)