►Savoir faire
La plateforme Nano-Rennes est dotée d’un ensemble d’aligneurs de lithographie, lui permettant d’assurer en standard des motifs de résine de dimension micronique (1 µm), sub-micronique (0.7 µm), voire nanométrique (50 nm) sur des procédés de lithographie émergents. A ces aligneurs s’ajoutent plusieurs postes d’enduction de résine et de traitement thermique. L’ensemble de ces postes de travail est situé dans des ambiances de classe 100.
Trois types d’aligneurs équipent la plateforme :
- Photolithographie UV (UV4 365-435 nm) : dimension minnimale 1 µm
- Photolithographie deep-UV (UV3 248 nm) : dimension minnimale 0.7 µm
- Lithographie par nano-impression : dimension minimale 50 nm
►Description des équipements de lithographie
Aligneurs UV
Aligneur Suss Microtec MJB4 (UV4) et nano-imprint (FOTON-INSA)
- Échantillon 1/4 de 2″ jusqu’à 4″
- Support pour masque 3″ et 4″
- Trois modes de lithographie (proximité, contact, chambre à vide)
- Résolution alignement ± 1 µm
- Résolution max ± 0.7 µm
Spécificité : un module de nano-impression, pour des surfaces limitées au cm², résolution max de 50 nm.
Aligneur Suss Microtec MJB4 (UV4) et nano-imprint (FOTON-INSA)
- Echantillon 1/4 de 2″ jusqu’à 4″
- Support pour masque 3″ et 4″
- Trois modes de lithographie (proximité, contact, chambre à vide)
- Résolution alignement ± 1 µm
- Résolution max ± 0.7 µm
Spécificité : un module de nano-impression, pour des surfaces limitées au cm², résolution max de 50 nm.
Lithographie électronique
Divers
4 résineurs Suss Microtec type RC8 (FOTON-INSA et IETR-GM)
- Echantillon 1/4 de 2″ jusqu’à 2″
- 1 résineur à capot Gyrset
- Plusieurs résines (de 200 nm à 4-5 µm d’épaisseur, BCB, PMMA, ..)
4 microscopes optiques (FOTON-INSA et IETR-GM)
- Grossissement de ×50 à ×200
- Filtre UV, caméra
Design de masques (IETR-GM et FOTON-INSA)
- Cadence
- CleWin