Menu principal Langues et contact

►Savoir faire

La plateforme Nano-Rennes réalise des gravures sur tout un ensemble de matériaux, par voie humide ou encore par voie sèche. Les traitements chimiques sont réalisés sous hotte chimique. Les gravures par voie sèche utilisent des réacteurs de gravure ionique réactive (GIR, ou encore RIE) dédiés.
De manière générique, la plateforme maitrise les gravures humides et/ou sèches associées aux :

  • Matériaux de la filière Si (Si, Si3N4, SiO2, Ge, SiGe, …)
  • Matériaux de la filière InP (InAs, InGaAs, InAlAs, InGaAsP, InAlGaAs)
  • Matériaux polymères (photorésine, BCB, …) et métalliques (In, Au, Ti, Ge, …)

 

►Description des équipements de gravure

Gravure sèche

RIE Microsys 400 Roth&Rau (IETR-GM)
Gaz : SF6, O2
Dédié à la gravure de filières Si

Spécificités :

  • Plaques 3 pouces max            
  • Vide secondaire (10-5 mbar)
  • Contrôle interféromètrique

RIE Alcatel 300 (FOTON-INSA)
Gaz : CH4, H2, Ar, O2
Dédié à la gravure filière InP

Spécificités :

  • Plaques 2 pouces
  • Vide secondaire (10-7 mbar) 
  • Contrôle interférométrique

RIE Plassys MG100 (FOTON-INSA)
Gaz : SF6, O2
Dédié à la gravure de polymères et couches de passivation

Spécificités :

  • Plaques 2 pouces          
  • Vide secondaire (10-6 mbar)
  • Contrôle interférométrique

Deep RIE CORIAL (IETR-GM)
Gaz : O2, SF6

Spécificités : 

  • Plaques 2 et 3 pouces
  • Vide secondaire (10-7 mbar)      
  • Contrôle interférométrique

Délaqueur Plasmafab ETA Electrotech (FOTON-INSA)
Gaz : O2
Délaquage de rélicats de résine

Spécificités :

  • Vide primaire (10-3 mbar)

 

Gravure humide

 

Hotte chimique (FOTON-INSA et IETR-GM)

 

 

Armoire de stockage chimique (FOTON-INSA et IETR-GM)

►Exemples de réalisations

Gravure ruban InP (RIE)
Gravure ruban InP (RIE)
Gravure mésa Si (RIE)
Gravure mésa Si (RIE)
Gravure DBR Si/SiN (RIE)
Gravure DBR Si/SiN (RIE)
Gravure intégrale de substrat InP après report (chimique)
Gravure intégrale de substrat InP après report (chimique)
Profil interférométrique RIE VCSEL InP
Profil interférométrique RIE VCSEL InP
Gravure RIE
Gravure RIE
Liberation membrane (gravure humide)
Liberation membrane (gravure humide)
Gravure DRIE (300µm)
Gravure DRIE (300µm)