►Savoir faire
La plateforme Nano-Rennes est dotée d’un ensemble d’équipements dédiés à la croissance de matériaux III-V et/ou Silicium.
Elle bénéficie d’une forte expérience dans la croissance de matériaux sur substrats InP, ainsi que la croissance basse température ( <200 °C) de composés à base de Si.
Elle bénéficie ainsi d’un savoir-faire dans la croissance des :
- Matériaux de la filière InP : InP, InAs, InGaAs, InAlAs, InAsP, In1-xGaxAsyP1-y (1,18µm <l<1,6µm) sur InP(100) et InP(311)B, InGaAlAs, GaAsSb, AlAsSb. BQ InAs sur InP(311)B, Qdash InAs sur InP(100) (1,5µm<l<1,8µm)
- Matériaux de la filière GaAs : GaAs, AlAs, InGaAs, AlGaAs
- Matériaux de la filière GaP : GaP, AlP, GaAsP, GaAlP
- Matériaux de la filière Si : Si
►Description des équipements de croissance
GS-MBE (Epitaxie à jets moléculaires à sources gaz) : RIBER32 (FOTON-OHM)
- Eléments III (solides) : In1, In2, Ga1, Ga2,
- Eléments V (gaz) : PH3, AsH3,
Dopants Si, Be, C (cellule gaz CBr4)
Spécificités :
- Wafers 2 pouces
- Ultra-vide (10-10 mbar)
- RHEED
SS-MBE (Epitaxie à jets moléculaires à sources solides) : RIBER (FOTON-OHM) COMPACT21
- Eléments III (solides) : In1, In2, Ga1, Ga2, Al dopants (Si, Be)
- Eléments V (cracker) : P4, As4, Sb4, N2 (cellule plasma)
Spécificités :
- Wafers 2 pouces
- Ultra-vide (10-10 mbar)
- RHEED (20keV)
- Transfert in-situ vers le bâti UHV-LPCVD
UHV-LPCVD (Epitaxie en phase vapeur basse pression ) : RIBER (FOTON-OHM)
- Eléments : SiH4, AsH3/H2, B2H6
Spécificités :
- Rheed (30keV)
- Wafers 2 pouces
- Ultra-vide (10-10 mbar)
- Transfert in-situ UHV vers le bâti SSMBE
4 LPCVD (Dépôt en phase vapeur basse pression) : AET (IETR-GM)
- Eléments : SiH4, GeH4, PH3, AsH3, B2H6, He, N2
Spécificités :
- Wafers 2 pouces max
- Croissance basse et haute température
- Vide secondaire (10-6 mbar)
APCVD (Dépôt en phase vapeur haute pression) : TEMPRESS (IETR-GM)
- Eléments : SiH4, O2, N2
Spécificités :
- Wafers 2 pouces max
- Croissance basse température de SiO2 (<200 °C)
- Vide primaire (10-3 mbar)
►Exemples de réalisations
