►Savoir faire
La plateforme Nano-Rennes réalise des gravures sur tout un ensemble de matériaux, par voie humide ou encore par voie sèche. Les traitements chimiques sont réalisés sous hotte chimique. Les gravures par voie sèche utilisent des réacteurs de gravure ionique réactive (RIE) dédiés.
De manière générique, la plateforme maitrise les gravures humides et/ou sèches associées aux :
- Matériaux de la filière Si (Si, Si3N4, SiO2, Ge, SiGe, …)
- Matériaux de la filière InP (InAs, InGaAs, InAlAs, InGaAsP, InAlGaAs)
- Matériaux polymères (photorésine, BCB, …) et métalliques (In, Au, Ti, Ge, …)
►Description des équipements de gravure
Gravure sèche
RIE Microsys 400 Roth&Rau (IETR-GM)
Gaz : SF6, O2
Dédié à la gravure de filières Si
Spécificités :
- Plaques 3 pouces max
- Vide secondaire (10-5 mbar)
- Contrôle interféromètrique
RIE Alcatel 300 (FOTON-INSA)
Gaz : CH4, H2, Ar, O2
Dédié à la gravure filière InP
Spécificités :
- Plaques 2 pouces
- Vide secondaire (10-7 mbar)
- Contrôle interférométrique
RIE Plassys MG100 (FOTON-INSA)
Gaz : SF6, O2
Dédié à la gravure de polymères et couches de passivation
Spécificités :
- Plaques 2 pouces
- Vide secondaire (10-6 mbar)
- Contrôle interférométrique
Deep RIE CORIAL (IETR-GM)
Gaz : O2, SF6
Spécificités :
- Plaques 2 et 3 pouces
- Vide secondaire (10-7 mbar)
- Contrôle interférométrique
Délaqueur Plasmafab ETA Electrotech (FOTON-INSA)
Gaz : O2
Délaquage de rélicats de résine
Spécificités :
- Vide primaire (10-3 mbar)
Gravure humide
Hotte chimique (FOTON-INSA et IETR-GM)
Armoire de stockage chimique (FOTON-INSA et IETR-GM)
►Exemples de réalisations
