►Savoir faire
La plateforme Nano-Rennes est dotée d’un ensemble d’équipements dedié au dépôt de couches minces, métalliques et diélectriques.
Applications :
- Contacts ohmiques (n et p) (en générique pour les filières InP, Si et GaP)
- Passivation électrique
- Couche sacrificielle ou de masquage (RIE)
- Technologie basse température.
►Description des équipements de dépôt
Dépôt métallique
3 évaporateurs Joules (FOTON-INSA, GM-IETR)
Plassys : Al
Edwards : Au et Cr
Leybold : Au, In, AuZn.
Spécificités :
- Dépôt sur une (4) plaques 2 pouces
- Vide secondaire (10-5 mbar)
3 évaporateurs à canon à électrons(FOTON-INSA, IETR-GM)
Temescal : Au, Ti, Pt, Ge, Ni (10 plaques 2 pouces , ..)
2 Alliance concept : Al, Cr, Au, Pt, Ti, Ni, W, Ge, Cu, … (< 4 pouces, procédé lift-off)
Spécificités :
- Plaques 2 pouces
- Contrôle d’épaisseur
- Vide secondaire (10-7 mbar)
2 pulvérisateurs cathodiques RF (FOTON-INSA et IETR-GM)
Plasmionic : Al, Pt, Cr 
Leybold : Ti, Au, AuGe
Spécificités :
- Plaques 2 pouces
- Vide secondaire (10-7 mbar)
Système d’électro-déposition RENA (IETR-GM)
Matériau : Cu
Spécificités :
- Plaque 2 pouces
- De quelques nm à >100 µm
Semiconducteurs
4 Reacteurs LPCVD ( IETR-GM)
Poly-Si N & P, SiNx, nanowires.
Spécificités :
- 2-3 pouces
- Vide secondaire (10-7 mbar)
APCVD (Dépôt en phase vapeur haute pression) : TEMPRESS (IETR-GM)
- Eléments : SiH4, O2, N2 (T<200 °C)
3 réacteurs PECVD home made (Si (dopé PH3, AsH3), SiO2, SiN basse température)
PECVD Corial :
- aSi, SiO2, Si3N4 (300°C)
- Contrôle interférométrique
ICP PECVD Corial
- aSi , SiO2, Si3N4 (50-200°C), dopage PH3, AsH3
- Contrôle interférométrique
3 Pulvérisateurs cathodiques RF
- Leybold (aSi, aSiN)
- Alcatel (aSi, ZnS, Ge, alliages spéciaux)
- Ranex (AlN)
Dépôt en forme liquide
1 imprimante jet d’encre ( IETR-GM)
Ceraprinter X-series:
Materiaux : Encres conductrices (Argent, PEDOT-PSS…)
Encres dielectriques (polymère)
Encres dévelopées en internes…
Spécificités :
- Taille maximum substrat A4 (21*29.7cm)
- Multi-matériaux (tête 256 buses ou 16 buses)
Dépôt organique
1 Évaporateur thermique multi-creusets en boite à gants (IETR-GM)
Réacteur développé un interne
Spécificités :
- 2 pouces
- Vide secondaire (10-7 mbar)
►Exemples de réalisations
