PLATEFORME DE TECHNOLOGIE DE PROXIMITE NANO-RENNES
EQUIPEMENT : LITHOGRAPHIE UV

    ►Savoir Faire
    ►Description des équipements de lithographie
    ►Exemples de réalisations

    ►Savoir Faire
La plateforme Nano-Rennes est dotée d'un ensemble d'aligneurs de lithographie, lui permettant d'assurer en standard des motifs de résine de dimension micronique (1 µm), sub-micronique (0.7 µm), voire nanométrique (50 nm) sur des procédés de lithographie émergents. A ces aligneurs s'ajoutent plusieurs postes d'enduction de résine et de traitement thermique. L'ensemble de ces postes de travail est situé dans des ambiances de classe 100.
Trois types d'aligneurs équipent la plateforme :
         photolithographie UV (UV4 365-435 nm)  : dimension minnimale 1 µm
         photolithographie deep-UV (UV3 248 nm) : dimension minnimale 0.7 µm
         lithographie par nano-impression             : dimension minjimale 50 nm

    ►Description des équipements de lithographie
Aligneurs UV
MA6Aligneur Suss Microtec  MA6 (UV3 248nm) (IETR-GM)
    ► échantillon 1/4 de 2" jusqu'à 3"
    ► support pour masque 4"
    ► trois modes de lithographie (proximité, contact, chambre à vide).
    ► résolution alignement ± 1 µm
    ► résolution max ± 0.5 µm
MJB4Aligneur Suss Microtec  MJB4 (UV4) et nano-imprint (FOTON-INSA)   
    ► échantillon 1/4 de 2" jusqu'à 4"
    ► support pour masque 3" et 4"
    ► trois modes de lithographie (proximité, contact, chambre à vide).
    ► résolution alignement ± 1 µm
    ► résolution max ± 0.7 µm

Spécificité : un module de nano-impression, pour des surfaces limitées au cm², résolution max de 50 nm.
MA7Aligneur Suss Microtec  MA750 (UV4) (IETR-GM)
    ► échantillon 1/4 de 2" jusqu'à 4"
    ► support pour masque 3" et 4"
    ► trois modes de lithographie (proximité, contact, chambre à vide).
    ► résolution alignement ± 1 µm
    ► résolution max ± 0.7 µm
MJB32 Aligneurs Suss Microtec  MJB3 (UV4) (FOTON-INSA et IETR-GM)
    ► échantillon 1/4 de 2" jusqu'à 2"
    ► support pour masque 3" et 4"
    ► deux modes de lithographie (proximité, contact).
    ► résolution alignement ± 2 µm
    ► résolution max ± 1 µm

Spécificité : un aligneur réservé exclusivement aux formations
.

Lithographie électronique
JEOLSystème de lithographie électronique JEOL (IETR-GM)
    ► échantillon
    ► résolution 10 nm

Divers

spinner
4 résineurs Suss Microtec type RC8 (FOTON-INSA et IETR-GM)
    ► échantillon 1/4 de 2" jusqu'à 2"
    ► 1 résineur à capot Gyrset
    ► plusieurs résines (de 200 nm à 4-5 µm d'épaisseur, BCB, PMMA, ..).
4 microscopes optiques (FOTON-INSA et IETR-GM)
    ► grossissement de ×50 à ×200
    ► filtre UV, caméra
Design de masques (IETR-GM e FOTON-INSA)
    ► Cadence
    ► CleWin


    ►Exemples de réalisations
Profil litho positivepiti 5litho Lift off
Motif positifMotif positifMotif lift off