PLATEFORME DE TECHNOLOGIE DE PROXIMITE NANORENNES
EQUIPEMENT : CROISSANCE DES MATERIAUX
     
    ►Savoir Faire
    ►Description des équipements de croissance
    ►Exemples de réalisations

    ►Savoir Faire
La plateforme Nano-Rennes est dotée d'un ensemble d'équipements dediés à la croissance de matériaux III-V et/ou Silicium.
Elle bénéficie d'une forte expérience dans la croissance de matériaux sur substrats InP, ainsi que la croissance basse température ( <200 °C) de composés à base de Si.

Elle bénéficie ainsi d'un savoir-faire dans la croissance :
         matériaux de la filière InP     : InP, InGaAs, InAlAs, GaAsSb, AlAsSb, InGaAsP (1.18 µm<lg<1.6 µm), InGaAlAs
         matériaux de la filière GaAs  : GaAs, AlAs, InGaAs, AlGaAs
        matériaux de la filière GaP    : GaP, AlP, GaAsP, GaAlP
         matériaux de la filière Si       : Si, Ge, SiGe

­    ►Description des équipements de croissance
GS-MBE GS-MBE (Epitaxie à jets moléculaires à sources gazs) : RIBER32 (FOTON-INSA) 
    ► Eléments III (solides) : In1, In2, Ga1, Ga2, Si, Be
    ► Eléments V (gaz) : PH3, AsH3,
Spécificités : - wafers 2 pouces 
                   - ultra-vide (10-10 mbar)
                   - RHEED
SS-MBE SS-MBE (Epitaxie à jets moléculaires à sources solides) : RIBER (FOTON-INSA) COMPACT21
    ► Eléments III (solides) : In1, In2, Ga1, Ga2, Al dopants (Si, Be)
    ► Eléments V (cracker) : P4, As4, Sb4, N2 (cellule plasma)

Spécificités : - wafers 4 pouces max
                    - ultra-vide (10-10 mbar)
                    - RHEED
UHV-LPCVD UHV-LPCVD (Epitaxie en phase vapeur basse pression ) : RIBER (FOTON-INSA)   
     Eléments : SiH4, AsH3

Spécificités : - wafers 4 pouces max
                   - ultra-vide (10-10 mbar)
                    - connexion UHV avec la SS-MBE
LPCVD 4 LPCVD (Dépôt en phase vapeur basse pression) : AET (IETR-GM)
    ► Eléments : SiH4, GeH4, PH3, AsH3, B2H6, He, N2

Spécificités : - wafers 2 pouces max
                   - croissance basseet haute température
                   - vide secondaire (10-6 mbar)
APCVD (Dépôt en phase vapeur haute pression) : TEMPRESS (IETR-GM)
    ► Eléments : SiH4, O2, N2

Spécificités : - wafers 2 pouces max
                   - croissance basse température de SiO2 (<200 °C)
                   - vide primaire (10-3 mbar)

    ►Exemples de réalisations
rheed X-STM Nano fils Si QDH high density QDs DBR AlGaAsSb/InP GaP sur 2 pouces Si
RHEED (MBE)Image  X-STM de boites quantiques InAs/InPNanofils de Si (APCVD)Images AFM de fils quantiques InAs/InP (MBE)Image AFM de boites quantiques InAs/InP (MBE)DBR AlGaAsSb/InP (MBE)couche de GaP / substrat Si (MBE)