PLATEFORME DE TECHNOLOGIE DE PROXIMITE NANO-RENNES
EQUIPEMENT : DEPOT
     
    ►
Savoir Faire
    ►Description des équipements de dépôt
    ►Exemples de réalisations

    ►Savoir Faire
La plateforme Nano-Rennes est dotée d'un ensemble d'équipements dedié au dépôt de couches minces, métalliques et diélectriques.
Applications :  - contacts ohmiques (n et p) (en générique pour les filières InP, Si et GaP)
                     - passivation électrique
                     - couche sacrificielle ou de masquage (RIE)
                     - technologie basse température.


­    ►Description des équipements de dépôt
Dépôt Métallique
3 évaporateurs Joules (FOTON-INSA, GM-IETR)
Plassys :  Al
Edwards : Au et Cr
Leybold : Au, In, AuZn.


Spécificités : - dépôt sur une (4) plaques 2 pouces

                   - vide secondaire (10-5 mbar)
2 évaporateurs à canon à électrons (FOTON-INSA, IETR-GM)
Temescal : Au, Ti, Pt, Ge, Ni
Alliance concept : Al, Cr

Spécificités : - plaques 2 pouces
                   - contrôle d'épaisseur
                    - vide secondaire (10-7 mbar)
sputt ox plasmionic2 pulvérisateurs cathodique RF(FOTON-INSA et IETR-GM)
Plasmionic : Al, Pt, Cr   new
Leybold : Ti, Au, AuGe

Spécificités : - plaques 2 pouces
                    - vide secondaire (10-7 mbar)
electrodepositionSystème d'électro-déposition RENA (IETR-GM)   new
Matériaux : Cu

Spécificités : - plaque 2 pouces
                   - de quelques nm à >100 µm
Semiconducteurs
4 réacteurs PECVD (FOTON-INSA, IETR-GM)
Réacteurs (développé un interne) -1- : SiO2 basse température
                                                 -2- : Si3N4 basse température
                                                 -3- : Si basse température
              Plasmatechnology  (oxford) : SiO2 et Si3N4 à 300 °C

Spécificités : plaque 2 pouces et film plastic (PEN, PET, Kapton)
2 pulvérisateurs cathodique RF  (FOTON-INSA, IETR-GM)
MRC: SiO2
Leybold : a-Si,a-SiNx

Spécifictés : - 2 pouces
                  - vide secondaire (10-7 mbar)
LPCVD4 Reacteurs LPCVD  ( IETR-GM)
Poly-Si N & P, SiNx, nanowires.

Spécifictés : - 2-3 pouces
                  - vide secondaire (10-7 mbar)

Dépôt Organique

1 Evaporateur thermique multi-creusets en boite à gants  (IETR-GM)

Réacteur développé un interne

Spécifictés : - 2 pouces
                  - vide secondaire (10-7 mbar)
Dépôt en forme liquide
Ceraprinter X-series 1 imprimante jet d'encre  ( IETR-GM)
Ceraprinter X-series:
Materiaux : Encres conductrices (Argent, PEDOT-PSS...)
                 Encres dielectriques (polymère) 
                 Encres dévellopées en internes...

Spécifictés : - Taille maximum substrat A4 (21*29.7cm)
                  - Multi-matériaux (tête 256 buses ou 16 buses)

    ►Exemples de réalisations
lift off VCSEL Pistes conductrices imprimées sur papier
Dépôt contacts par lift-off pour VCSELRepport de VCSEL (DBR diélectrique et ZA MBE) par collage métallique AuIn2Pistes d'argent imprimées sur papier