PLATEFORME DE TECHNOLOGIE DE PROXIMITE NANO-RENNES
EQUIPEMENT : GRAVURE
     
    ►Savoir Faire
    ►Description des équipements de gravure
    ►Exemples de réalisations

    ►Savoir Faire
La plateforme Nano-Rennes réalise des gravures sur tout un ensemble de matériaux, soit par voie humide ou encore par voie sèche. Les traitements chimiques sont réalisés sous hotte chimique. Les gravures par voie sèche utilisent des réacteurs de gravure ionique réactive (GIR, ou encore RIE) dédiés.
De manière générique, la plateforme maitrise les gravures humides et/ou sèches associées aux :
    - matériaux de la filière Si (Si, Si3N4, SiO2, Ge, SiGe, ...)
    - matériaux de la filière InP (InAs, InGaAs, InAlAs, InGaAsP, InAlGaAs)
    - matériaux polymères (photorésine, BCB, ...) et métalliques (In, Au, Ti, Ge, ...)

­    ►Description des équipements de gravure
Gravure sèche
RIE Roth & Rauh RIE Microsys 400 Roth&Rau (IETR-GM)   
Gaz : SF6, O2
Dédié à la gravure de filières Si

Spécificités : - plaques 3 pouces max
                   - vide secondaire (10-5 mbar)
                  - contrôle interféromètrique
RIE Alcatel 300 (FOTON-INSA)
 
Gaz : CH4, H2, Ar, O2
Dédié à la gravure filière InP

Spécificités : - plaques 2 pouces
                   - vide secondaire (10-7 mbar)
                   - contrôle interférométrique
RIE Plassys MG100 (FOTON-INSA)
Gaz : SF6, O2
Dédié à la gravure de polymères et couches de passivation

Spécificités : - plaques 2 pouces
                   - vide secondaire (10-6 mbar)
                   - contrôle interférométrique
Deep RIE CORIAL (IETR-GM)
Gaz : O2, SF6


Spécificités :
- plaques 2 et 3 pouces
                   -  vide secondaire (10-7 mbar)
                   - contrôle interférométrique
Délaqueur Plasmafab ETA Electrotech (FOTON-INSA)
Gaz : O2
Délaquage de rélicats de résine

Spécificités : - vide primaire (10-3 mbar)
Gravure humide
Hotte chimique Hotte chimique (FOTON-INSA et IETR-GM)
stockage chimie Armoire de stockage chimique (FOTON-INSA et IETR-GM)

    ►Exemples de réalisations
RIE InP RIE Si Interf RIE VCSEL InP RIE DBR aSi/aSiN gravure subtrat VCSEL InP Flip-Chip
gravure ruban InP (RIE)gravure mésa Si (RIE)Profil interférométrique RIE VCSEL InPGravure DBR Si/SiN (RIE)Gravure intégrale de substrat InP après report (chimique)